Направление подготовки, код 14.05.04
Технология наноэлектронных приборов и архитектура вычислительных систем
32
Места на бюджетной основе
17
Места на контрактной основе
380 000
₽
Стоимость обучения в год
О программе обучения
Программа специалитета, срок обучения - 5,5 лет.
Программа направлена на подготовку специалистов, владеющих всеми навыками и компетенциями, необходимыми для успешной работы в различных областях современной микро- и наноэлектроники. В процессе обучения особое внимание уделяется прикладным аспектам проектирования электронной компонентной базы. Студенты получают уникальные знания по физике микроэлектронных структур, по аналоговой и цифровой схемотехнике, а также по технологии производства интегральных схем, что открывает широкие возможности трудоустройства в самых разных областях электронной промышленности.
Чему Вас научат
- Микросхемотехника
- Системы автоматизированного проектирования в микроэлектронике
- Технология интегральных микросхем
- Физические основы наноэлектроники
- Надежность и радиационная стойкость интегральных микросхем
- Микропроцессорные системы
- Датчики на основе микро- и нанотехнологий
- Архитектура и программирование микропроцессорных систем
Кем работают выпускники?
Выпускник данной образовательной программы сможет участвовать в создании принципиально новых полупроводниковых приборов на основе широкозонных материалов и современных гетероструктур, а также заниматься разработкой интегральных микросхем повышенной надежности, способных функционировать, как в составе физических установок, так и в бортовой электронике космических аппаратов. Данная образовательная программа способствует формированию компетенций, позволяющих решать задачи, связанные как с разработкой и проектированием аппаратной части различного рода сложнофункциональных устройств, так и связанные с разработкой программного обеспечения, необходимого для обработки информации.
Проходной балл на бюджет
2024
271
2023
261
2022
232
Заработок специалистов
от80 000 ₽
без опыта
Новичок
от200 000 ₽
1-3 года
Опытный
от400 000 ₽
от 3х лет
Эксперт
Вступительные испытания
Экзамен 1 из 3
Русский язык
Вступительное испытание проводится в форме письменного экзамена в очном или в дистанционном формате. В очном формате испытание проводится, если участвует выездная приемная комиссия МИФИ.
Вступительное испытание состоит из 2-х частей: тестовой и сочинения-рассуждения.
Типы заданий тестовой части включают в себя: орфографию (ударение, пропуск буквы), пунктуацию, синтаксис (определить предложение с грамматической ошибкой), лексику и фразеологию.
При написании сочинения требуются навыки анализа текста, формулирования и аргументации мыслей, использования литературных приемов.
Те, кто поступают по квоте от Россотрудничества, не сдают русский язык.
Экзамен 2 из 3
Математика
Вступительное испытание проводится в форме письменного экзамена в очном или в дистанционном формате. В очном формате испытание проводится, если участвует выездная приемная комиссия МИФИ.
Вступительное испытание состоит из 10 задач.
Типы заданий включают в себя: системы уравнений, тригонометрию, задачи на движение, геометрию, показательные неравенства, иррациональные уравнения, исследование функции, логарифмические уравнения, неравенства с параметром, стереометрию и другие.
Программу и демо-вариант можно узнать на сайте приемной комиссии МИФИ.
Те, кто поступают по квоте от Россотрудничества, сдают тестирование по математике, но задания отличаются от экзамена МИФИ.
Экзамен 3 из 3
Физика
Вступительное испытание проводится в форме письменного экзамена в очном или в дистанционном формате. В очном формате испытание проводится, если участвует выездная приемная комиссия МИФИ.
Вступительное испытание состоит из 10 задач.
Типы заданий включают в себя: кинематику и динамику, законы сохранения, термодинамику, электричество и магнетизм, оптику, квантовую физику и другие.
Программу и демо-вариант можно узнать на сайте приемной комиссии МИФИ.
Те, кто поступают по квоте от Россотрудничества, сдают тестирование по физике, но задания отличаются от экзамена МИФИ.